细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅均流装置
技术｜并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法
2024年3月1日 本文提出了一种用于并联碳化硅（SiC）功率器件的新型磁集成并联均流控制方法。 分析了并联SiC功率器件的应用问题。 采用耦合电感法来解决该问题。 基于有 2014年10月31日 碳化硅(SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试, 碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度学术
碳化硅mosfet并联均流的研究 豆丁网
2021年7月26日 碳化硅MOSFET并联均流的研究InvestigationcurrentsharingparallelingSiCMOSFET （1浙江大学电气工程学院,杭 2018年11月13日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究， 其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试， 并利用此平台随机选取了两块 SiC 碳化硅MOSFET并联均流的研究 道客巴巴
碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度文库
摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并 本文首先介绍了 SiC MOSFET的器件结构和工作原理,同时利用功率分析仪对CREE公司SiC MOSFET C2MD进行静态特性测量,之后对其进行特性建模,给出了SiC MOSFET SiC MOSFET并联模块均流技术研究 百度学术
碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 百度学术
全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅(SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到 2019年1月16日 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构 中国科学院电工研究所（以下简称电工所）于1958年在北京开始筹建，迄今已有50余年的历史，是我国目前从事电气科学研 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构中国科学院电工研究所
一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术网
2019年6月11日 本发明与现有技术相比，优点在于： 1、保证驱动信号的一致性，防止碳化硅mosfet误开通； 2、保证碳化硅mosfet开通时长一致，从而达到均流； 3、工程实现较 2022年9月22日 SiC MOSFET并联的动态均流与 IGBT 类似，只是SiC MOSFET开关速度更快，对一些并联参数会更为敏感。 如图2所示，我们先分析下桥Q11和Q12在双脉冲开关过程中的动态均流特性及其影响因 SiC MOSFET单管的并联均流特性 亿伟世科技
一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术网
2019年6月11日 本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置 或离 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体 一般机械振动的发生或传递 将固体从固体中分离；分选 清洁 固体废物的处理；被污染土壤的再生〔3，6 碳化硅螺旋加热管及用于溢流下拉法的加热装置pdf资源下载
碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度学术
2014年10月31日 碳化硅 (SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况,同时还在相同条件下测试 2021年10月5日 能够将生成的SiO2及时 排出， 使损坏断裂的碳化硅螺旋加热器可以较为 便捷的取出更换。 从而保证了溢流砖周边合格的 温度场及合格的溢流质量。 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 CN U 20200825 CN U 1一种碳化硅螺旋加热管， 。碳化硅螺旋加热管及用于溢流下拉法的加热装置pdf
一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体 百度学术
2023年6月21日 本发明公开了一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体,涉及碳化硅晶体制备领域该碳化硅晶体扩径生长装置包括石墨坩埚,碳化硅籽晶及扩径件,碳化硅籽晶固定于石墨坩埚的内顶壁;扩径件与石墨坩埚的内侧壁连接,且扩径件成型有扩径通道及多个泄流环 2024年4月30日 1、为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种玻璃板溢流成型装置及其均热碳化硅 挡板。2、本实用新型提出的一种均热碳化硅挡板，包括：碳化硅基板，碳化硅基板的侧面的中部一体成型有条纹状的波浪形板。3、优选地，波浪 一种玻璃板溢流成型装置及其均热碳化硅挡板的制作方法
开云登录入口登录(官方)APP下载安装IOS/安卓通用版/
2024年5月13日 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。 燃烧器碳化硅喷嘴使用温度最高1500℃，不变形，热震性好。 铸钢件长期高温环境下，喷嘴易腐蚀变形，降低燃烧效率。 一体浇注成型，热震性好，在高温加热到1100℃浸入20℃水中 2022年7月20日 摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅的水力溢流分级装置,涉及碳化硅技术领域,包括主体,所述主体的顶部固定设置有进料管,所述主体的两侧内壁均开有多个安装插槽,且安装插槽的内壁插接有安装插板,位于同一水平面的两个安装插板的相对一面固定连接有同一个过滤框,所述过滤框的一端设置有挡板 一种碳化硅的水力溢流分级装置 百度学术
碳化硅均热板江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer
碳化硅均热板 CORESIC ® SP碳化硅加热板采用等静压成型、高温烧结而成。 可根据用户设计图纸 要求进行加工发热体孔,测温、定位孔及开槽加工。 典型应用 、平板显示器3D玻璃热弯成型机 汽车终控显示屏3D玻璃热成型机 非球面玻璃模压热成型机（模造 王珩宇 （1浙江大学电气工程学院，杭州） 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiC MOSFET分别 碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度文库
一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置复旦大学
2023年2月1日 一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置,复旦大学,9X,发明公布,本发明公开一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括进气机构、初分散机构、孔板组件；所述进气机构的出气端开设有通气孔；所述初分散机构固定安装在所述进气机构的出气端；所述初分散机构内开设有若干与所述 2 天之前 英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。 该系列产品采用分立封装，还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。 CoolSiC™ MOSFET 系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。 其中，SiC MOSFET功率模块拥有三电平、fourpack、半桥、 sixpack和 sic 碳化硅mosfet英飞凌(infineon)官网 Infineon Technologies
阈值分散演化对并联 SiC MOSFET 均流的影响,IEEE
2024年2月22日 并联碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（ MOSFET s) 是高容量电源转换器的高效解决方案。然而，并行芯片参数或多或少的分散是不可避免的，这可能导致电流不平衡。由于动态阈值电压漂移的存在，并联器件在整个生命周期内阈值电压的分散性对于长期可靠性至关重要。王珩宇 （1浙江大学电气工程学院，杭州） 摘要：碳化硅（SiC）材料是一种新型宽禁带半导体材料。 本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究，其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试，并利用此平台随机选取了两块SiC MOSFET分别 碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度文库
碳化硅mosfet并联均流的研究 豆丁网
2021年7月26日 同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。 测试是在室温25、母线电压380V的条件下进行,测试过程中将改变工作电流观察这一参数对均流的影响静态均流利用同轴电阻检测两路MOSFET在静态导通电流 碳化硅MOSFET并联不均衡电流分析及调控方法 近年来,硅基功率半导体器件受材料特性的限制难以满足电力电子装备的更高需求以碳化硅为代表的宽禁带功率半导体器件凭借其优异的性能,逐步应用于高频,高温和大功率电力电子领域由于商业化量产碳化硅MOSFET芯片 碳化硅MOSFET并联不均衡电流分析及调控方法 百度学术
一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置9X
2023年2月1日 本发明的目的是提供一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，旨在解决或改善上述技术问题中的至少之一。 为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明提供一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置，包括： 进气机构，所述进气机构的出气端开设有第 2017年10月19日 该文档贡献者很忙，什么也没留下。锅炉煤粉管道碳化硅均流体及其制作方法 道客巴巴
碳化硅MOSFET换流回路杂散电感提取方法的优化 / 开普饭
2024年4月22日 通过对SiC MOSFET开关寄生振荡机制的分析，并针对现有换流回路杂散电感提取方法的局限性，本文提出了一种优化后的适用于SiC MOSFET开关瞬态测试平台换流回路的杂散电感提取方法，只需测量SiC MOSFET分立器件的开关振荡周期，消除了回路杂散电阻、测量延时以及 2024年4月1日 但碳化硅电阻伏安曲线较软，磁场电流转移相对容易，不存在均流、均压、均能的问题，也不需要熔断器。但电流变化时电压变化大，无法达到氧化锌电阻灭磁残压基本恒定的效果，灭磁时间相对较长。碳化硅灭磁电阻伏安曲线较软又成就了其自动均流特性。氧化锌和碳化硅组合式灭磁电阻参考网
SiC MOSFET并联模块均流技术研究 百度学术
但是,作为新一代宽禁带半导体器件,碳化硅(SiC)由于其在高压大功率应用领域的优良特性而受到了广泛关注。 在充电桩逆变器等电力设备中使用SiC MOSFET能够显著提高功率密度和设备的效率,本文主要针对SiC MOSFET的并联均流电路进行了研究。2022年11月30日 1本发明涉及一种中子束流监测装置，具体涉及一种碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置。背景技术： 2加速器中子源是指加速带电粒子(如氘、质子或其他离子)轰击一定的靶材时，可引发发射中子核反应的设备。 与放射性同位素中子源相比，加速器中子源具有中子产额高、能量可调 碳化硅自给能半导体探测器及中子束流反角监测装置的制作方法
1 50 keV低能质子束注入装置
2015年11月30日 参数的调节，无需对装置进行机械调整，方便了运行人 员的操作。装置采用冷阴极潘宁源作为离子源，用永磁 型速度选择器进行束流纯化，使得设备紧凑、所占空间 小、性能稳定、寿命长、无需维护，可连续工作长时间 工作。装置的主要性能指标列于表1中。2018年11月13日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究， 其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试， 并利用此平台随机选取了两块 SiC MOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况， 同时还在相同条件下测试了 Si IGBT 以进行对比。 通过实验测试 碳化硅MOSFET并联均流的研究 道客巴巴
一种单元组合式烟气均流系统的制作方法 X技术网
2019年4月30日 本发明涉及一种烟气均流装置，尤其是涉及一种单元组合式烟气均流系统。背景技术在锅炉热力试验中，烟气成分测量是一项重要的工作，直接影响锅炉热效率、空预器漏风率和SCR烟气脱硝系统等的试验结果。目前烟气分析仪的精度已完全满足工程式样的要求，因此，获取有代表性的烟气样品就成为 2022年9月22日 基于以上TO2474pin的SiC MOSFET两并联的仿真条件与结果，我们可以得到如下一些初步的结论： 1、并联单管的源极电感Lex差异，SiC MOSFET的开通与关断的均流对此非常敏感。 因为，源极电感的差异也会 耦合 影响到驱动回路，以进一步影响均流。 如下图8所示，以关 SiC MOSFET单管的并联均流特性 亿伟世科技
碳化硅MOSFET并联均流的研究 道客巴巴
2018年11月13日 本文对 SiC MOSFET 这一种新型器件的并联均流情况进行了研究， 其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试， 并利用此平台随机选取了两块 SiC MOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况， 同时还在相同条件下测试了 Si IGBT 以进行对比。 通过实验测试 摘要： 新能源车用的电机控制器通常通过大功率模块来完成,但大功率模块一般成本比较高,体积比较大,资源也有限该文基于SiC MOSFET分立器件并联设计了一种高功率密度电机控制器,为了从电气和散热角度最大程度地提升材料和空间利用率,实现高功率密度以及分立器件的良好动静态均流,设计了一种 基于分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器研究
碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 百度学术
碳化硅MOSFET并联主动均流的研究 全球工业化水平逐步提高,传统电力电子器件受限于材料的自身因素,难以满足日益提升的要求而以碳化硅为代表的宽禁带材料和碳化硅 (SiC)MOSFET为代表的宽禁带半导体器件受到了科研人员的关注在SiC MOSFET生产和使用过程中,由于 2022年11月25日 郑州冠德生产灰斗用QHB300×150气化板气化槽，材质有碳化硅、不锈钢、透气布等料仓气化装置，提供气化板安装和气化风系统设备选型报价，碳化硅气化板由橡胶密封圈和金属壳体箱槽组成，气化板 灰斗气化板QHB300×150气化板气化槽料仓气化装
技术｜并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法
2024年3月1日 本文提出了一种用于并联碳化硅（SiC）功率器件的新型磁集成并联均流控制方法。 分析了并联SiC功率器件的应用问题。 采用耦合电感法来解决该问题。 基于有源反馈变换器，建立了耦合电感的理论模型，并阐明了其工作机理。 根据工作机理设计了集成磁 2011年5月18日 5根据权利要求4所述的碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置，其特征在 于所有器件均采用Wbit或以上器件。 6根据权利要求5所述的碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置，其特征在 于DSP通过RS422通讯总线连接到工控计算机。碳化硅非线性电阻灭磁过程中在线监测的装置和方法
苏州上春仪监测程控设备制造有限公司燃烧器配件碳化硅
2023年火电厂锅炉防磨防爆技术经验交流年会 11月8日我司参加了由中国电力技术市场协会运维检修分会，在郑州举办2023年火电厂锅炉防磨防爆技术经验交流年会，介绍了我司碳化硅燃烧器喷嘴、碳化硅燃烧器一次风管，旋流式燃烧器 2020年3月16日 Cree公司采用双注入MOSFET(double implantation MOSFET,DMOSFET) 的技术路线,结构如图4(a)所示,该公司自2010 年起发布商业化SiC MOSFET。 器件通过改进元胞尺寸以及改善SiC/SiO2( 二氧化硅)界面特性的手段,元胞尺寸从发布的代产品的10 m 降低至第三代产品的6 m,比导通电阻也从 碳化硅功率器件技术综述与展望 CSEE
微通道反应器（连续流动化学）迈库弗洛微流控技术（常州
1、MFELFlow连续流电化学反应器相比其他电化学合成设备采用集成式更方便、简易的设计结构，简易装夹，电极板及芯片集成化设计，性比价更高。 可手动快速组装，组装过程只需几即可完成； 2、特色的加热制冷板设计（水冷接头、电极头）； 3、采用 2023年11月10日 详解碳化硅PVT长晶工艺 第三代半导体媒体人 21:21 江苏 一般认为利用PVT法生长碳化硅晶体需重点关注以下几点： 1、籽晶极性及晶型种类的选择。 研究证实，决定单一4H晶型稳定生长的关键因素为籽晶极性，通常C面可用于制备4HSiC晶型，而Si面则用于 详解碳化硅PVT长晶工艺
知识科普：什么是碳化硅 技术动态 新闻中心 迈思普电子
2024年1月30日 日本部分新造的大功率交传铁路车辆，以碳化硅取代 IGBT用于牵引变流装置（如新干线ALFAX、EMU3000和E235系），有助进一步减少车辆耗电。 总结 技术的发展离不开材料的创新，从硅基底到碳化硅基底的转变既是半导体材料的更新换代，也是集成电路 气液连续流工业级反应器–LG系列 气液固连续流工业级反应器–LGS系列 光化学连续流反应器 气体流量控制系统 液体流量控制系统 高吸收率气液吸收反应器 BTO 易爆、高浓度VOC有机废气处理技术 GGHE气气余热回收装置 SIC碳化硅有机废液处理技术浙江超晟科技有限公司 – 全SIC碳化硅管式连续流反应器
一种用于超细硅粉和碳化硅分离的装置及其分离方法 百度学术
2015年8月3日 摘要： 本发明公开一种用于超细硅粉和碳化硅分离的装置及其分离方法,该装置包括如下组成部分:搅拌系统,该系统包括搅拌桶,穿设在搅拌桶中的旋转轴,以及驱动旋转轴转动的电机,旋转轴上固设有叶轮组;分离系统,该系统包括分离桶,以及固设在分离桶上方的 2019年6月11日 本发明涉及一种碳化硅开关器件拓扑。背景技术当前广泛使用的开关器件主要是硅基底的MOSFET和IGBT。硅基底MOSFET开关损耗低，但要做到1700V及以上耐压则导通损耗很高，IGBT导通损耗低，但由于尾流则开关损耗很高，一般不能用于很高的开关频率，如10kHz以上。而使用碳化硅基底的MOSFET开关器件，相对 一种碳化硅MOSFET的并联均流结构的制作方法 X技术网
碳化硅螺旋加热管及用于溢流下拉法的加热装置pdf资源下载
用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置 或离 一般喷射或雾化；对表面涂覆液体或其他流体 一般机械振动的发生或传递 将固体从固体中分离；分选 清洁 固体废物的处理；被污染土壤的再生〔3，6 2014年10月31日 碳化硅 (SiC)材料是一种新型宽禁带半导体材料本文对SiC MOSFET这一种新型器件的并联均流情况进行了研究,其中搭建了双脉冲测试平台来对两路器件进行测试,并利用此平台随机选取了两块SiCMOSFET分别在静态和动态情况下观察了其均流情况,同时还在相同条件下测试 碳化硅MOSFET并联均流的研究 百度学术
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2021年10月5日 能够将生成的SiO2及时 排出， 使损坏断裂的碳化硅螺旋加热器可以较为 便捷的取出更换。 从而保证了溢流砖周边合格的 温度场及合格的溢流质量。 权利要求书1页 说明书2页 附图2页 CN U 20200825 CN U 1一种碳化硅螺旋加热管， 。2023年6月21日 本发明公开了一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体,涉及碳化硅晶体制备领域该碳化硅晶体扩径生长装置包括石墨坩埚,碳化硅籽晶及扩径件,碳化硅籽晶固定于石墨坩埚的内顶壁;扩径件与石墨坩埚的内侧壁连接,且扩径件成型有扩径通道及多个泄流环 一种碳化硅晶体扩径生长装置,方法及碳化硅晶体 百度学术
一种玻璃板溢流成型装置及其均热碳化硅挡板的制作方法
2024年4月30日 1、为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种玻璃板溢流成型装置及其均热碳化硅 挡板。2、本实用新型提出的一种均热碳化硅挡板，包括：碳化硅基板，碳化硅基板的侧面的中部一体成型有条纹状的波浪形板。3、优选地，波浪 2024年5月13日 铸钢件高温情况下易变形，耐磨性下降，易磨损，易腐蚀，使用寿命短。 燃烧器碳化硅喷嘴使用温度最高1500℃，不变形，热震性好。 铸钢件长期高温环境下，喷嘴易腐蚀变形，降低燃烧效率。 一体浇注成型，热震性好，在高温加热到1100℃浸入20℃水中 开云登录入口登录(官方)APP下载安装IOS/安卓通用版/
一种碳化硅的水力溢流分级装置 百度学术
2022年7月20日 摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅的水力溢流分级装置,涉及碳化硅技术领域,包括主体,所述主体的顶部固定设置有进料管,所述主体的两侧内壁均开有多个安装插槽,且安装插槽的内壁插接有安装插板,位于同一水平面的两个安装插板的相对一面固定连接有同一个过滤框,所述过滤框的一端设置有挡板 碳化硅均热板 CORESIC ® SP碳化硅加热板采用等静压成型、高温烧结而成。 可根据用户设计图纸 要求进行加工发热体孔,测温、定位孔及开槽加工。 典型应用 、平板显示器3D玻璃热弯成型机 汽车终控显示屏3D玻璃热成型机 非球面玻璃模压热成型机（模造 碳化硅均热板江苏三责新材料科技股份有限公司 Sanzer
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